北京航空航天大学学报  2018, Vol. 44 Issue (5): 1066-1073    DOI: 10.13700/j.bh.1001-5965.2017.0332
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硒掺杂锗碲相变存储材料的第一性原理研究
方治乾1, 缪奶华1,2, 周健1,2
1. 北京航空航天大学 材料科学与工程学院, 北京 100083;
2. 北京航空航天大学 国际交叉科学研究院 集成计算材料工程中心, 北京 100083
First-principles study of Se doped GeTe phase-change material
FANG Zhiqian1, MIAO Naihua1,2, ZHOU Jian1,2
1. School of Material Science and Engineering, Beijing University of Aeronautics and Astronautics, Beijing 100083, China;
2. Center for Integrated Computational Materials Engineering, International Research Institute for Multidisciplinary Science, Beijing University of Aeronautics and Astronautics, Beijing 100083, China
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