北京航空航天大学学报  2018, Vol. 44 Issue (11): 2430-2436    DOI: 10.13700/j.bh.1001-5965.2018.0142
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FDSOI背偏与体硅体偏电路的功耗性能对比
王剑1,2, 于芳1,2, 赵凯3, 李建忠3, 杨波3, 徐烈伟3
1. 中国科学院微电子研究所, 北京 100029;
2. 中国科学院大学, 北京 100049;
3. 上海复旦微电子集团股份有限公司, 上海 200433
Comparison of power consumption and circuit performance between back bias in FDSOI and body bias in bulk silicon
WANG Jian1,2, YU Fang1,2, ZHAO Kai3, LI Jianzhong3, YANG Bo3, XU Liewei3
1. Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;
2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;
3. Shanghai Fudan Microelectronics Group Company Limited, Shanghai 200433, China
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