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静态随机存储器在轨自检算法

吴洋 王羿 于新宇 许智龙 任放 黄缙

吴洋, 王羿, 于新宇, 等 . 静态随机存储器在轨自检算法[J]. 北京航空航天大学学报, 2021, 47(6): 1233-1240. doi: 10.13700/j.bh.1001-5965.2020.0140
引用本文: 吴洋, 王羿, 于新宇, 等 . 静态随机存储器在轨自检算法[J]. 北京航空航天大学学报, 2021, 47(6): 1233-1240. doi: 10.13700/j.bh.1001-5965.2020.0140
WU Yang, WANG Yi, YU Xinyu, et al. Algorithm of in-orbit SRAM for self-inspection[J]. Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics, 2021, 47(6): 1233-1240. doi: 10.13700/j.bh.1001-5965.2020.0140(in Chinese)
Citation: WU Yang, WANG Yi, YU Xinyu, et al. Algorithm of in-orbit SRAM for self-inspection[J]. Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics, 2021, 47(6): 1233-1240. doi: 10.13700/j.bh.1001-5965.2020.0140(in Chinese)

静态随机存储器在轨自检算法

doi: 10.13700/j.bh.1001-5965.2020.0140
基金项目: 

王宽诚教育基金“先进偏振遥感技术与应用国际团队” GJTD-2018-15

详细信息
    通讯作者:

    王羿, E-mail: wangyi@aiofm.ac.cn

  • 中图分类号: TP301.6

Algorithm of in-orbit SRAM for self-inspection

Funds: 

K.C.Wong Education"International Team of Advanced Polarization Remote Sensing Technology and Applications" GJTD-2018-15

More Information
  • 摘要:

    静态随机存储器(SRAM)在轨自检应用于星载电子设备上电初始化过程中,能够在电子设备开始工作前发现存储器的故障单元,为评估电子设备健康状态提供依据。分析了SRAM的结构和常见的故障原理,针对在轨应用这一特殊背景开展研究,提出了对典型测试算法的改进方案。在完成对改进方案的分析和评价后,以8 K×8 bit存储器为例开展算法的实现,并验证了改进方案的可行性。与典型测试算法相比,所提改进方案具有资源开销少、故障覆盖率高等优点。

     

  • 图 1  SRAM结构简图

    Figure 1.  Structure of SRAM

    图 2  无故障存储单元状态转换示意图

    Figure 2.  Schematic diagram of state transition of non-failed memory unit

    图 3  SRAM故障类型

    Figure 3.  Category of SRAM faults

    图 4  March算法

    Figure 4.  Schematic diagram of March algorithm

    图 5  改进型测试算法

    Figure 5.  Schematic diagram of improved test algorithm

    表  1  故障检测算法对比

    Table  1.   Comparison among fault detection methods

    算法 测试复杂程度 故障检出率/%
    MSCAN 4N 47
    March 10N~26N 90
    Checkboard 12N 80
    Galloping Pattern 2N2+N 65
    Sliding 2N2 70
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    表  2  自检函数设计说明

    Table  2.   Design description of self-test function

    项目 说明
    功能描述 根据改进型自检算法,按照特定的地址顺序对SRAM存储器进行读或者写操作,并判断符合预期
    输入数据
    处理 1) 对地址0000H写0,地址加1,对地址0001H写0,以此类推,直到对FFFFH写0
    2) 从地址0000H读入数据,如果为0,表明正常,参数“测试结果”设置为55H,如果不为0,则参数“测试结果”设置为AA,并将地址0000H放入参数“故障的存储单元的地址”,参数“检出故障时测试算法位置”设置为2,参数“读出故障内容”参数填入实际读出值,程序终止并返回。对0000H的数据处理完成后,对该地址写入FFH。从地址0001H读入数据,按照同样方法进行判断和写入,直到地址FFFFH
    3) 从地址FFFFH读入数据,按照步骤2方法判断是否为FFH,进行相应处理后写入55H,按照降序直到对地址0000H进行判断和写入
    4) 从地址0000H读入数据,按照步骤2方法判断是否为55H,进行相应处理后写入AAH,按照升序到对地址FFFFH进行判断和写入
    5) 从地址FFFFH读入数据,按照步骤2方法判断是否为AAH,进行相应处理后对该地址写入0,按照升序直到对地址0000H进行判断和写入
    输出数据 1) 测试结果,1字节,55表示芯片正常,AA表示存在故障
    2) 故障存储单元的地址,2字节
    3) 检出故障时测试算法的位置,1字节
    4) 故障读出内容,1字节
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    表  3  仿真器设置

    Table  3.   Simulator setting

    参数 设置值
    器件型号 80C32E
    晶振频率 12 MHz
    内存模式 片外64 KB存储器
    程序存储器模式 64 KB程序存储器
    调试模式 使用内置仿真器
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    表  4  测试用例

    Table  4.   Test cases

    故障名称 造错方法 预期结果 实测结果
    开路故障 改进型SRAM测试算法第2步在对地址7FFFH写FFH完成后,将地址FFFFH内容修改为FFH 测试结果为AAH故障地址FFFFH故障步骤02H读出内容为FFH 程序在第2步对地址FFFFH读0时报错并返回,返回的4个参数与预期结果一致
    固定故障 算法第1步完成后,将地址1234H内容修改为01H 测试结果为AAH故障地址1234H故障步骤02H读出内容为01H 程序在第2步对地址1234H读0时报错并返回,返回的4个参数与预期结果一致
    转换故障 算法第2步完成后,将地址4321H内容修改为00H 测试结果为AAH故障地址4321H故障步骤03H读出内容为00H 程序在第3步对地址4321H读FFH时报错并返回,返回的4个参数与预期结果一致
    完全故障 算法第1步完成后,将地址0000H内容修改为FFH 测试结果为AAH故障地址0000H故障步骤02H读出内容为FFH 程序在第2步对地址0000H读0时报错并返回,返回的4个参数与预期结果一致
    反码耦合故障 算法第3步完成后,将地址4567H内容修改为AAH 测试结果为AAH故障地址4567H故障步骤04H读出内容为AAH 程序在第4步对地址4567H读55H时报错并返回,返回的4个参数与预期结果一致
    无故障 不进行造错 测试结果为55H故障地址、故障步骤、错误内容均为初始值0 程序执行完毕,返回的4个参数与预期结果一致
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出版历程
  • 收稿日期:  2020-04-13
  • 录用日期:  2020-07-25
  • 网络出版日期:  2021-06-20

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