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结温可控的晶体管稳态工作寿命试验方法研究

李霁红 贾颖 康锐 张德骏

李霁红, 贾颖, 康锐, 等 . 结温可控的晶体管稳态工作寿命试验方法研究[J]. 北京航空航天大学学报, 2005, 31(06): 696-699.
引用本文: 李霁红, 贾颖, 康锐, 等 . 结温可控的晶体管稳态工作寿命试验方法研究[J]. 北京航空航天大学学报, 2005, 31(06): 696-699.
Li Jihong, Jia Ying, Kang Rui, et al. Study of transistor steady-state operation life test by method of controllable junction temperature[J]. Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics, 2005, 31(06): 696-699. (in Chinese)
Citation: Li Jihong, Jia Ying, Kang Rui, et al. Study of transistor steady-state operation life test by method of controllable junction temperature[J]. Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics, 2005, 31(06): 696-699. (in Chinese)

结温可控的晶体管稳态工作寿命试验方法研究

详细信息
    作者简介:

    李霁红(1965-),女,福建福州人,博士生, miaoruo38@163.com.

  • 中图分类号: TN 321

Study of transistor steady-state operation life test by method of controllable junction temperature

  • 摘要: 在分析了现行标准中晶体管稳态工作寿命试验方法存在问题的基础上,认为在现行的稳态工作寿命试验中没有对晶体管的结温实施测量和控制,是导致试验结果不准确的重要原因.旨在提高晶体管稳态工作寿命试验方法的可信度,提出了一种在试验过程中实时测量并严格控制晶体管结温在最高允许结温附近的稳态工作寿命试验方法.以3DD820,3DD15D (F2金属封装)双极晶体管为实验对象,对结温可控的晶体管稳态工作寿命试验方法进行了验证.模拟试验数据分析结果表明,该试验方法可以有效地提高晶体管稳态工作寿命试验方法的可信度.

     

  • [1] MIL-STD-750D,半导体器件试验方法[S].1995 MIL-STD-750D,Test methods for semiconductor[S].1995(in Chinese) [2] GJB33A-97,半导体器件总规范[S].1997 GJB33A-97,General requirements for semiconductor diceces[S].1997(in Chinese) [3] GJB128A-97,半导体分立器件试验方法[S].1997 GJB128A-97,Test methods for semiconductor discrete devices[S].1997(in Chinese) [4] 卢其庆,张安康.半导体器件可靠性与失效分析[M]. 江苏:江苏科学技术出版社,1981 Lu Qiqing,Zhang Ankang. Dependency and failure analyse for semiconductor devices[M].Jiangsu:Jiangsu Science and Technique Press,1981(in Chinese) [5] 刘 永,张福海.晶体管原理[M].北京:国防工业出版社,2002 Liu Yong,Zhang Fuhai. Transistor principle[M].Beijing:Defence Industry Press,2002 (in Chinese) [6] 施 敏.现代半导体器件物理[M].北京:科学出版社,2001.11~26 Shi Min. Modern semiconductor device physics[M].Beijing:Science Press,2001.11~26(in Chinese) [7] Dale E Dawson, Aditya K Gupta. Measurement of HBT thermal resistance[J]. IEEE Trances Action on Electron Devices,1992,39(10):2235~2239 [8] Fields C H,Foschaar J,Thomas S. Thermal resistance characterization of 200 GHz F InGaAs/InAlAs HBTs. IPRM.14th. 2002.79~82 [9] Webb P W. Measurement of thermal resistance using electrical methods[J].IEE Proceeding,1987,34(2):51~56 [10] Chan-Su Yun,Peter Regli.Static and dynamic thermal characteristics of IGBT power modules. Power Semiconductor Devices and Ics. ISPSD'99 Proceeding,the 11th International Symposim on. 1999.37~40
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-02-27
  • 网络出版日期:  2005-06-30

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