北京航空航天大学学报  2014, Vol. 40 Issue (6): 839-843    DOI: 10.13700/j.bh.1001-5965.2013.0435
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CMOS器件单粒子效应电荷收集机理
董刚1, 封国强2, 陈睿2, 韩建伟2
1. 中国科学院 研究生院, 北京 100049;
2. 中国科学院 国家空间科学中心, 北京 100190
Single event charge collection in CMOS device
Dong Gang1, Feng Guoqiang2, Chen Rui2, Han Jianwei2
1. Graduate School, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;
2. National Space Science Center, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China
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