北京航空航天大学学报  2013, Vol. 39 Issue (5): 683-687    
  论文 本期目录 | 过刊浏览 | 高级检索 |
电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响
恩云飞1, 刘远2, 何玉娟2
1. 西安电子科技大学微电子学院, 西安 710071;
2. 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广州 510610
Total dose dependence of off currents in the irradiated PD-SOI devices
En Yunfei1, Liu Yuan2, He Yujuan2
1. School of Microelectronic, Xidian University, Xi'an 710071, China;
2. Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electric Component Laboratory, Guangzhou 510610, China
版权所有 © 《北京航空航天大学学报》编辑部
地址:北京市海淀区学院路37号 北京航空航天大学学报编辑部 邮编:100191 电子信箱:jbuaa@buaa.edu.cn
本系统由北京玛格泰克科技发展有限公司设计开发  技术支持:support@magtech.com.cn