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非晶态NiSiB薄膜电阻的弛豫

祁祥麟 程先安 宋汝安 顾其华

祁祥麟, 程先安, 宋汝安, 等 . 非晶态NiSiB薄膜电阻的弛豫[J]. 北京航空航天大学学报, 1998, 24(1): 108-111.
引用本文: 祁祥麟, 程先安, 宋汝安, 等 . 非晶态NiSiB薄膜电阻的弛豫[J]. 北京航空航天大学学报, 1998, 24(1): 108-111.
Qi Xianglin, Cheng Xianan, Song Ruan, et al. Resistance Relexation of NiSiB Amorphous Films[J]. Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics, 1998, 24(1): 108-111. (in Chinese)
Citation: Qi Xianglin, Cheng Xianan, Song Ruan, et al. Resistance Relexation of NiSiB Amorphous Films[J]. Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics, 1998, 24(1): 108-111. (in Chinese)

非晶态NiSiB薄膜电阻的弛豫

基金项目: 航空科学基金资助项目
详细信息
  • 中图分类号: O 484.42

Resistance Relexation of NiSiB Amorphous Films

  • 摘要: 用射频溅射制备了一组厚度不同的NiSiB非晶态薄膜.在不同温度下,用不同时间对薄膜进行了循环退火.实验测量了循环退火后的薄膜电阻随温度的变化,得到可逆和不可逆两组曲线.厚度较大(>1 000)的薄膜,电阻随温度的增加而增大,厚度较小(<400)的薄膜,电阻随温度的增加而减小.电阻温度系数有正有负.从非晶态材料的结构弛豫出发,应用激活能谱模型和推广的Ziman理论讨论了实验所得的结果.

     

  • 1. Fukmichi K,Kimura H M,Masumoto T.Strain gauge characteristics of Ni base amorphous alloys.IEEE Transaction on Magnetics,1980,16(5):907~909 2. 程先安,陈秉玉,姚慈顺.压力敏感元件新材料的实验研究.北京航空学院学报,1984(1):1~6 3. Cheng X,Gu G,Chen B.Electrical resistance strain characteristics and structure of amorphous NiSiB thin films.SPIE,1991,1519(part one):33~36 4. Kuhrast F A,Machizaud F,Flechon J,et al.Electrical conductivity of amorphous Ni\-\{66.} B\-\{34.} film.Thin Solid Film,1981,81:181~186 5. Nagel R.Temperature dependence of the resistivity in metallic glasses.Physical Review B,1977,16(4):1694~1698 6. Gibbs M R J,Evetts J E,Leake J A.Activation energy spectra and relaxation in amorphous materials.Journal of Materials Science,1983,18:278~288
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-07-10
  • 网络出版日期:  1998-01-31

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