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RF低噪音放大器的仿真设计方法

刘久文

刘久文. RF低噪音放大器的仿真设计方法[J]. 北京航空航天大学学报, 2000, 26(3): 259-262.
引用本文: 刘久文. RF低噪音放大器的仿真设计方法[J]. 北京航空航天大学学报, 2000, 26(3): 259-262.
LIU Jiu-wen. Designing Simulation of RF Low Noise Amplifier[J]. Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics, 2000, 26(3): 259-262. (in Chinese)
Citation: LIU Jiu-wen. Designing Simulation of RF Low Noise Amplifier[J]. Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics, 2000, 26(3): 259-262. (in Chinese)

RF低噪音放大器的仿真设计方法

详细信息
    作者简介:

    刘久文(1962-),男,河北玉田人,讲师,100083,北京.

  • 中图分类号: TN 454

Designing Simulation of RF Low Noise Amplifier

  • 摘要: 探讨了使用惠普公司的微波电路仿真软件EESOF/Libra设计射频集成电路(RFIC)接收端的低噪音放大器(LNA)的方法.设计采用惠普砷化稼场效应管(HP ATF-21186).由于ATF-21186的稳定性欠佳,且放大器的整体增益在33 dB以上,噪声系数小于2,输入、输出驻波系数小于2,因此对如何提高电路的稳定性、降低噪声系数及具有较好的输入输出匹配特性进行了研究.设计过程首先从等效集总元件电路模型设计入手,然后使用平面结构实现各集总元件以便易于集成.经过EESOF的整体仿真,表明该方法正确有效.

     

  • [1] Dambrin G,Cappy A,Heliodore F,et al. A new method for determine the FET small-signal equivalent circuit[J]. IEEE Trans on Microwave Theory Tech,1988,36:1121~1129. [2]HowerPL,Bechtel N G. Current saturation and small-signal characteristics of GaAs FET-s[J]. IEEE Trans Electron Devices, 1973,20:213~220. [3]顾其诤,项家祯,袁寿康. 微波集成电路设计[M]. 北京:人民邮电出版社,1978. [4]吴万春. 集成固体微波电路[M].北京:国防工业出版社,1981. [5]特里 T 哈.固体微波放大器设计[M]. 北京:国防工业出版社,1988. [6]李征帆.微波FET宽带放大器综述[J].固体电子学研究与进展,1985,5(2):164~173. [7]戴永胜,茅经怀. 采用反馈法使微波低噪FET放大器同时获得最佳噪声和最小驻波的研究[J]. 固体电子学研究与进展,1987,7(2):150~156.
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-08-23
  • 网络出版日期:  2000-03-31

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